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半导体

三星电子业界首次量产14纳米EUV DDR5 DRAM

将EUV技术应用于14纳米DDR5芯片的生产,为业界最先进工艺制程

By Oct 12, 2021 (Gmt+09:00)

三星将EUV技术应用于14纳米DDR5芯片的生产
三星将EUV技术应用于14纳米DDR5芯片的生产

三星电子( Samsung Electronics Co. )10月12日宣布开始量产采用极紫外(EUV)技术的14纳米动态随机存取存储器(DRAM),这是业界最先进的工艺制程。

全球最大的内存芯片制造商三星电子于去年3月就已开始生产业界首款基于EUV的DRAM模块,如今又在业内首次采用EUV多层工艺生产14nm DRAM。

三星还计划通过使用EUV曝光技术来提高DRAM的性能和良率,以稳固在14纳米及以下先进制程工艺的优势。目前三星在全球DRAM市场占有率为40%,位居榜首。

该公司应用5层EUV工艺生产的14纳米DRAM具有业界最高的晶圆密度,与上一代产品相比,该产品的生产率提高了约20%,功耗降低近20%。

三星的DDR5 DRAM模块
三星的DDR5 DRAM模块

三星电子首先将该新工艺应用于最新的DDR5(第五代双倍数据速率)DRAM。DDR5是新一代DRAM标准,其性能是DDR4两倍以上,传输速率最高可达7.2Gbps,可用于数据中心、超级计算机和企业级服务器。

该公司的战略是通过业界最先进的14纳米制程工艺和EUV工艺技术,提升产品的性能和良率,从而引领DDR5 DRAM的普及。

此外,三星拟将其14nm DRAM芯片的单颗最大容量做到24Gb,并实现批量生产以满足市场需求。

三星电子DRAM部门负责人李柱荣(音)表示:“我们将凭借大容量高性能产品以及出色的生产效率,提供最佳存储器解决方案,以满足大数据时代的需求。”

根据市场研究公司奥姆迪亚(Omdia)发布的数据,未来DDR5内存的DRAM市场份额将从今年的0.1%提升至2025年的40.5%。

三星的DDR5 DRAM模块 
三星的DDR5 DRAM模块 


记者 朴信映 nyusos@hankyung.com

责编 Daha Park

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