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半导体

SK海力士开始量产第四代10纳米级DRAM产品

与美光不同,SK采用EUV技术生产下一代DRAM芯片

By Jul 13, 2021 (Gmt+09:00)

SK海力士的第四代10纳米级DRAM芯片使用EUV光刻设备生产。
SK海力士的第四代10纳米级DRAM芯片使用EUV光刻设备生产。

7月12日,韩国芯片厂商SK海力士宣布,公司已开始量产基于1a纳米级工艺的8千兆比特(Gigabit)LPDDR4移动DRAM(动态随机存储器)芯片。

1a技术是继1x、1y和1z之后的第四代10纳米(nm)DRAM产品。与第三代1znm内存芯片相比,1a技术在相同的晶圆面积下,生产的芯片数量可以增加25%。

SK海力士的新一代10纳米级DRAM芯片,在生产过程中采用极紫外光(EUV)技术,这在公司历史上尚属首次。

相比之下,其竞争对手美光科技公司使用氟化氩(ArF)曝光工艺,来生产1anm DRAM芯片,尚未投用EUV设备。

业内人士称,SK海力士第四代10纳米芯片的批量生产良率达到95%,而美光科技开始量产时,良率在70至80%左右。

虽然EUV技术的初始投资成本大于氟化氩工艺。但从长远来看,前者更具成本效益,因为该技术可以简化生产工艺流程。

今年2月,SK海力士曾表示,计划到2025年斥资4.75万亿韩元(约合人民币268.3亿元),以采购极紫外光刻机。

韩国汉阳大学融合电子工学系教授朴在根(音)表示:“三星电子在2019年引入EUV工艺,SK海力士也通过生产第四代DRAM产品证明了EUV工艺实力。EUV工艺制程将成为DRAM市场发展的大势所趋。”

SK海力士还计划从明年初开始采用10纳米工艺来生产DDR5产品,该产品是2020年10月推出的全球首款新一代DRAM。

SK海力士补充道,其1anm DRAM产品的速率将稳定在4266兆比特每秒(Mbps),实现标准LPDDR4移动DRAM规范中最快速度,并将功耗降低了20%。

LPDDR4,即Lower Power Double Date Rate 4,是一种标准规范,占据DRAM市场约75%的份额。

记者 李秀槟 lsb@hankyung.com

责编 Daha Park
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